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J-GLOBAL ID：200903065085136658

多結晶シリコン薄膜の製造方法

Inventor： 三島 康由 ,  竹井 美智子
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992000551
Publication number (International publication number)：1993182919
Application date： Jan. 07, 1992
Publication date： Jul. 23, 1993
Summary：

【要約】【目的】 多結晶シリコン薄膜の製造方法に関し、ガラス基板への形成を目的とする。【構成】 ガラス基板を被処理基板とし、ジシランを反応ガスとして減圧気相成長法により被処理基板上にアモルファス・シリコン膜を形成した後に、この基板を酸素雰囲気中に置き、アモルファス・シリコン膜の表面を酸化させた後、600°C以下の熱処理を行ってアモルファス・シリコンを多結晶化するか、或いは、ガラス基板を被処理基板とし、反応ガスとしてシランを、希釈ガスとして水素または不活性ガスを用い減圧気相反応を行い、被処理基板上にアモルファス・シリコン膜を形成する際、希釈ガスを活性化した状態で供給して成膜させた後、熱処理を行ってアモルファス膜を結晶化することを特徴として多結晶シリコン薄膜の製造方法を構成する。

Claim (excerpt)：

ガラス基板を被処理基板とし、ジシランを反応ガスとして減圧気相成長法により該被処理基板上にアモルファス・シリコン膜を形成した後に該基板を酸素雰囲気中に置き、該アモルファス・シリコン膜の表面を酸化させた後、不活性ガス雰囲気中で600 °C以下の熱処理を行って該アモルファス・シリコンを多結晶化することを特徴とする多結晶シリコン薄膜の製造方法。

IPC (5)：

H01L 21/205 ,  C23C 14/18 ,  C30B 25/14 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/784