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J-GLOBAL ID：200903065086178290

近接場リソグラフィによるパターンの転写方法とその露光装置

Inventor： 沢野 充 ,  岡崎 洋二 ,  永野 和彦
Applicant, Patent owner： 富士写真フイルム株式会社
Agent (1)： 小栗 昌平 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001396772
Publication number (International publication number)：2003197507
Application date： Dec. 27, 2001
Publication date： Jul. 11, 2003
Summary：

【要約】【課題】 偏光板を必要としない、レーザー光による近接場リソグラフィを提供する。【解決手段】 光照射5による照射部分のみまたは非照射部分のみが現像溶媒に可溶となる感光性のフォトレジスト層を基板上に積層してなる記録材料2に、所定パターンの遮蔽膜を有するマスク基板3を該遮蔽膜側を対向させるように重ね、この状態で該マスク基板3に近接場光を照射してマスク基板3の遮蔽膜間に位置するフォトレジスト層を感光させ、その後、該フォトレジスト層を現像することにより前記所定のパターンを前記記録材料基板上の前記フォトレジスト層に形成するパターンの転写方法において、前記マスク側からレーザー光を照射することにより前記フォトレジスト層へのパターン転写を行うことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

光照射による照射部分のみまたは非照射部分のみが現像溶媒に可溶となる感光性のフォトレジスト層を基板上に積層してなる記録材料に、所定パターンの遮蔽膜を有するマスク基板を該遮蔽膜側を対向させるように重ね、この状態で該マスク基板に近接場光を照射してマスク基板の遮蔽膜間に位置するフォトレジスト層を感光させ、その後、該フォトレジスト層を現像することにより前記所定のパターンを前記記録材料基板上の前記フォトレジスト層に形成するパターンの転写方法において、前記マスク側からレーザー光を照射することにより前記フォトレジスト層へのパターン転写を行うことを特徴とするパターンの転写方法。

IPC (3)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/20 501 ,  G03F 7/20 505

FI (3)：

G03F 7/20 501 ,  G03F 7/20 505 ,  H01L 21/30 502 D

F-Term (7)：

2H097AA03 ,  2H097CA17 ,  2H097GA45 ,  5F046BA01 ,  5F046CA03 ,  5F046CB22 ,  5F046CB24