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J-GLOBAL ID：200903065093113802

ウエーハプロセス用薄板基板構造とこの薄板基板を用いたMEMS素子の製造方法

Inventor： 江刺 正喜 ,  宮崎 勝
Applicant, Patent owner： 江刺 正喜 ,  株式会社メムス・コア
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002170689
Publication number (International publication number)：2003326500
Application date： May. 07, 2002
Publication date： Nov. 18, 2003
Summary：

【要約】【課題】 大口径ウエーハプロセス工程に適する基板構造を提供する。【解決手段】 本体基板と補助基板が接着層により貼り合せて一体化した構造を形成して、これをウエーハプロセス用薄板基板構造とする。補助基板は耐熱性があり容易に除去可能な材料である。接着層は耐熱性があり容易に除去可能な材料である。ウエーハプロセス用薄板基板構造は本体基板ウエーハを薄板化した構造と、薄板化した構造の基板ウエーハに、ウエーハプロセスによって所要のパターンを形成した構造を特徴とし、これによりパッケージング構造のMEMS素子を提供する。

Claim (excerpt)：

ウエーハプロセスで使われる基板において、本体基板ウエーハと補助基板ウエーハを接着層により貼り合せて一体化した構造であって、本体基板ウエーハを薄板化した構造と、薄板化した構造の基板ウエーハに、ウエーハプロセスによって所要のパターンを形成した構造を有することを特徴としたウエーハプロセス用薄板基板構造。

IPC (5)：

B81C 1/00 ,  B81B 1/00 ,  B81B 7/02 ,  H01L 21/02 ,  H01L 29/84

FI (5)：

B81C 1/00 ,  B81B 1/00 ,  B81B 7/02 ,  H01L 21/02 C ,  H01L 29/84 Z

F-Term (19)：

4M112AA02 ,  4M112BA07 ,  4M112CA21 ,  4M112CA22 ,  4M112CA23 ,  4M112DA01 ,  4M112DA03 ,  4M112DA04 ,  4M112DA05 ,  4M112DA13 ,  4M112DA15 ,  4M112DA18 ,  4M112EA02 ,  4M112EA06 ,  4M112EA11 ,  4M112EA13 ,  4M112EA14 ,  4M112EA20 ,  4M112FA20