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J-GLOBAL ID：200903065104736246

半導体素子収納用パッケージ

Inventor： 上村 宗裕 ,  田淵 智也
Applicant, Patent owner： 京セラ株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000084245
Publication number (International publication number)：2001274270
Application date： Mar. 24, 2000
Publication date： Oct. 05, 2001
Summary：

【要約】【課題】高周波信号の伝送特性が損なわれないようにし、また半導体素子の作動時の熱をヒートシンク,実装基板等に効率良く伝熱させることにより、半導体素子を長期間にわたり正常かつ安定に作動させること。【解決手段】放熱板1は、厚さ方向に配向した炭素繊維を炭素で結合した一方向性複合材料1aから成り、かつ上面および下面に放熱板1側からFe-Cr合金層1b-1とCu層1b-2とが順に積層された金属層1bが被着されており、基体2はCuから成るとともに厚さが0.5〜3mmである。

Claim (excerpt)：

上面に放熱板を介して半導体素子を載置する載置部を有する基体と、該基体上面に前記放熱板を囲繞するように取着され、かつ側部に貫通孔または切欠部から成る取付部を有する、Cu-W合金,Fe-Ni-Co合金,Fe-Ni合金またはCuから成る枠体と、前記取付部に嵌着される入出力端子とから成る半導体素子収納用パッケージにおいて、前記放熱板は、厚さ方向に配向した炭素繊維を炭素で結合した一方向性複合材料から成り、かつ上面および下面に前記放熱板側からFe-Cr合金層とCu層とが順に積層された金属層が被着されており、前記基体はCuから成るとともに厚さが0.5〜3mmであることを特徴とする半導体素子収納用パッケージ。

IPC (3)：

H01L 23/02 ,  H01L 23/08 ,  H01L 23/373

FI (4)：

H01L 23/02 H ,  H01L 23/02 C ,  H01L 23/08 B ,  H01L 23/36 M

F-Term (7)：

5F036AA01 ,  5F036BA04 ,  5F036BA23 ,  5F036BB01 ,  5F036BB21 ,  5F036BC05 ,  5F036BD11