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J-GLOBAL ID：200903065107496360

プラズマ反応装置

Inventor： 伊藤 政隆 ,  村田 康明
Applicant, Patent owner： 株式会社クリスタージュ
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002118539
Publication number (International publication number)：2003273033
Application date： Mar. 14, 2002
Publication date： Sep. 26, 2003
Summary：

【要約】【目的】プラズマを用いて薄膜を形成する所謂プラズマ反応装置において、プラズマによるダメージを低減し、良好な特性を持つ薄膜を形成する。また、大面積に均一に薄膜を形成する装置を実現する。【構成】プラズマにより高エネルギー状態に分子を励起するプラズマ部と、基板付近で反応、薄膜形成を行う反応部を分離し、基板表面へのプラズマダメージを低減する所謂リモートプラズマCVD装置で構成する。この時、ガスの流れ、プラズマの均一性を向上させるため、プラズマ発生部、ガス噴出し部をライン状に形成し、その直下を基板が移動することで均一性の向上を図る。さらに、ライン状にプラズマの均一性向上を図るため、複数のプラズマ源を1列に並べライン状にし、かつプラズマ部で発生した励起ガスをライン方向に拡散し均一化を図る拡散部をプラズマ部と反応部の間に設置する。

Claim (excerpt)：

プラズマ発生部と該プラズマ発生部で発生した励起分子を拡散させる拡散部と該拡散部で均一に拡散した励起分子を輸送する輸送部と該励起分子と反応ガスを混合反応させる反応部からなるプラズマ反応装置において、該プラズマ発生部は複数のプラズマ発生装置をライン状に並べてなることを特長とするプラズマ反応装置。

IPC (3)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/507 ,  H05H 1/46

FI (3)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/507 ,  H05H 1/46 L

F-Term (15)：

4K030AA06 ,  4K030AA17 ,  4K030BA44 ,  4K030FA04 ,  4K030KA08 ,  4K030KA23 ,  4K030KA30 ,  4K030LA15 ,  5F045AA08 ,  5F045BB02 ,  5F045CA15 ,  5F045DP01 ,  5F045EH11 ,  5F045EH18 ,  5F045EK01