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J-GLOBAL ID：200903065115284126
半導体記憶装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴木 喜三郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992174123
Publication number (International publication number)：1994021338
Application date： Jul. 01, 1992
Publication date： Jan. 28, 1994
Summary：
【要約】【目的】不揮発性半導体記憶装置に用いられる強誘電体キャパシタの構造に関し、電界効果型トランジスタ等の能動素子の形成された同一基板上に、強誘電体膜を形成した信頼性の優れた強誘電体記憶装置を提供する。【構成】能動素子の形成された基板上にSiO2膜、(100)配向Pt下部電極、(001)配向PZT膜が、順次この順序で形成されている。【効果】PZT薄膜キャパシタの結晶の結晶構造と格子定数を本来バルクのPZTが持つ結晶構造と格子定数にすることにより、結晶内、特に電極界面でのPZTの歪を無くし、キャパシタにかける電界の極性を1015回繰り返してもスイッチング電荷量の減少を防ぐことができる。信頼性に優れた大容量半導体記憶装置が可能となる。
Claim (excerpt)：
能動素子の形成された半導体基板上に形成された非晶質膜と、前記非晶質膜上に形成された(100)配向下部電極と、前記下部電極上に形成された(001)配向のペロブスカイト結晶構造を有する酸化物誘電体膜と、前記酸化物誘電体膜上に形成された上部電極を具備することを特徴とする半導体記憶装置。
IPC (3)：
H01L 27/04
, H01L 29/788
, H01L 29/792
