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J-GLOBAL ID：200903065118947010

化学イメージセンサ

Inventor： 伊藤 善孝
Applicant, Patent owner： 新電元工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000328707
Publication number (International publication number)：2002131276
Application date： Oct. 27, 2000
Publication date： May. 09, 2002
Summary：

【要約】【課題】 本発明は環境負荷を軽減し、使用勝手の良い、安価なケミカルイメージセンサを実現する。【解決手段】サファイヤ、石英等の透明基板上に半導体層と絶縁層を積層し、該透明基板の裏面より断続した光を照射して該半導体層内に電子-正孔対を発生させることにより該半導体層表面に生ずる表面光電圧を利用する。光アドレス電位応答センサを用いて、化学イメージセンサセルを構成するのに、上記半導体層の表面上の一部にセンサ信号電極端子部を設け、さらに上記センサ部の同一面上に絶縁膜を介し且つセンサ部を囲むように参照電極用及び対極用の電極材料膜を平面的に形成したことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

サファイヤ、石英等の透明基板上に半導体層と絶縁層を積層し、該透明基板の裏面より断続した光を照射して該半導体層内に電子-正孔対を発生させることにより該半導体層表面に生ずる表面光電圧を利用する光アドレス電位応答センサを用いて、化学イメージセンサセルを構成するのに、上記半導体層の表面上の一部にセンサ信号電極端子部を設け、さらに上記センサ部の同一面上に絶縁膜を介し且つセンサ部を囲むように参照電極用及び対極用の電極材料膜を平面的に形成したことを特徴とする化学イメージセンサ。

IPC (2)：

G01N 27/414 ,  G01N 27/416

FI (3)：

G01N 27/30 301 U ,  G01N 27/46 U ,  G01N 27/46 353 G