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J-GLOBAL ID：200903065128565817

半導体レーザ装置

Inventor： 東郷 仁麿 ,  森下 啓子 ,  若林 信一 ,  豊田 幸雄
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993333873
Publication number (International publication number)：1995193318
Application date： Dec. 27, 1993
Publication date： Jul. 28, 1995
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、活性層の量子構造へのキャリアの注入効率を均一にすることによって、光閉じ込め係数の大きい高出力の量子構造半導体レーザを得ることを目的とする。【構成】 第2半導体障壁層16のエネルギーギャップを第1半導体障壁層15のエネルギーギャプより小さくし、第2半導体障壁層16の基底準位を量子構造の励起準位に等しくなるようにすることによって、キャリアを各量子構造に均等に注入することができるので、PN接合面に対して垂直方向の量子構造の個数を増やすことができ、高出力の量子構造半導体レーザレーザが得られる。

Claim (excerpt)：

活性層に量子構造を有するPN接合半導体素子であって、前記量子構造を前記PN接合面に対して垂直方向に仕切る第1半導体障壁層と、前記量子構造をPN接合面対して水平方向に仕切る第2半導体障壁層とを有し、前記第1半導体障壁層のエネルギーギャップが、前記第2半導体障壁層のエネルギーギャップよりも大きく、さらに前記第2半導体障壁層の基底準位が前記量子構造の励起準位に等しい半導体レーザ装置。