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J-GLOBAL ID：200903065131567790

半導体レーザ

Inventor： 井上 忠夫 ,  田中 一弘
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 北野 好人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993003696
Publication number (International publication number)：1994216460
Application date： Jan. 13, 1993
Publication date： Aug. 05, 1994
Summary：

【要約】【目的】 光通信、光信号処理、光インターコネクト等の光源として用いられる半導体レーザに関し、材料選択の自由度が高くて、容易に低消費電力化及び高出力化を実現できる半導体レーザを提供することを目的とする。【構成】 n型クラッド層12とp型クラッド層23の間に活性層16が設けられた半導体レーザにおいて、バリア層20aと歪井戸層20bが積層された歪多重量子井戸構造のキャリア反射層20を、活性層16とp型クラッド層23又はn型クラッド層12の間に設けるように構成する。

Claim (excerpt)：

n型クラッド層とp型クラッド層の間に活性層が設けられた半導体レーザにおいて、バリア層と歪井戸層が積層された歪多重量子井戸構造のキャリア反射層を、前記活性層と前記p型クラッド層又はn型クラッド層の間に設けたことを特徴とする半導体レーザ。