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J-GLOBAL ID：200903065147396597

薄膜形成装置

Inventor： 六平 克之
Applicant, Patent owner： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997211859
Publication number (International publication number)：1998074749
Application date： Apr. 13, 1993
Publication date： Mar. 17, 1998
Summary：

【要約】【課題】更なる高密度化に対応し得る薄膜を形成するための薄膜形成装置を提供する。【解決手段】周波数の異なる2電力を同時に対向電極3,4間に供給して、反応容器2内にプラズマを発生させる。配管6を介して反応容器2内に反応ガスを導入する。反応ガスがプラズマ放電エネルギーにより活性化され、化学的気相成長により低誘電率の薄膜が半導体基板等の試料5面上に生成される。前記反応ガスとして、少なくともTEOS系ガスとフッ素原子を含むガス、又は、TEOS系ガスと塩素原子を含むガス、又は、TEOS系ガスと臭素原子を含むガスを導入する。

Claim (excerpt)：

周波数の異なる2電力を同時に適用して反応容器内にプラズマを発生させるプラズマ発生手段と、前記反応容器内に、少なくともTEOS系ガスとフッ素原子を含むガスとを導入して混合させる導入手段とを備え、前記少なくともTEOS系ガスとフッ素原子を含むガスが前記プラズマの放電エネルギ-にて活性化されて化学的気相成長によって生成される低誘電率の沈積物を試料面に被着させることを特徴とする薄膜形成装置。

IPC (3)：

H01L 21/31 ,  C23C 16/50 ,  H05H 1/46

FI (3)：

H01L 21/31 C ,  C23C 16/50 ,  H05H 1/46 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平2-236282
  
• 特公昭59-030130
  
• 特開平4-359515