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J-GLOBAL ID：200903065156757500
プラズマ発生装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
浅村 皓 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993145941
Publication number (International publication number)：1994084811
Application date： Jun. 17, 1993
Publication date： Mar. 25, 1994
Summary：
【要約】【目的】 半導体ウエハにほぼ平行でかつこの半導体ウエハから離隔されたプラズマを電子加速により形成する。【構成】 高周波発生機23による高周波マッチングにより結合された高周波エネルギを有する同調回路を形成する平坦に形成された側部を有する主コイル18とコンデンサ12とを備える。石英窓36を有しかつ低圧ガスを含むプロセスチャンバ30は石英窓面に平行な軸線を有する主コイルの平坦に形成された側部に近接し、円形ディスク形状の二次元プレーナプラズマ22は主コイルに流れる電流の高変化率により形成されかつ維持される。前記チャンバ内に配置され、前記窓に対向する電極38は処理される半導体ウエハ44を取付けるのに使用され、この電極に印加された電位はプラズマにより引きつけられかつ加速されたイオンのイオンエネルギを別個に制御する。
Claim (excerpt)：
少なくとも一部がほぼ平坦な電気絶縁窓で仕切られたガス密の外囲と、この外囲内に複数種のプロセスガスを導く導入手段と、前記プロセスガスの圧力を制御する制御手段と、前記外囲の近部の外側で前記絶縁窓に近接して装着され、その軸線が前記絶縁窓のほぼ平行に配置されたコイルと、このコイルに無線周波数電源を結合して電流を流す結合手段とを備え、平面状のプラズマが形成されて前記絶縁窓に平行に維持される、プラズマ発生装置。
IPC (4)：
H01L 21/205
, C23C 16/50
, H01L 21/302
, H05H 1/46
