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J-GLOBAL ID：200903065157209612
薄膜形成用汚染防止材、薄膜形成装置および薄膜形成方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
藤吉 一夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997115061
Publication number (International publication number)：1998298736
Application date： Apr. 18, 1997
Publication date： Nov. 10, 1998
Summary：
【要約】【課題】 ハイパワースパッタリングのような高温環境下における薄膜形成装置内でもパーティクルの発生を低減することのできる手段を開発する。【解決手段】 Ti箔あるいは蛇腹状Ti箔あるいはエンボス加工により複数の凹凸を形成したTi箔からなることを特徴とする薄膜形成装置用汚染防止材。
Claim (excerpt)：
薄膜形成装置用の汚染防止材において、Ti箔あるいは蛇腹状Ti箔あるいはエンボス加工により複数の凹凸を形成したTi箔からなることを特徴とする薄膜形成装置用汚染防止材。
IPC (2)：
FI (2)：
C23C 14/00 B
, C23C 16/44 J
