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J-GLOBAL ID：200903065163899116
スパッタリング式成膜装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
高田 守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994029771
Publication number (International publication number)：1995238370
Application date： Feb. 28, 1994
Publication date： Sep. 12, 1995
Summary：
【要約】【目的】 高品質の薄膜を安定に形成できるスパッタリング式成膜装置を得ることを目的とする。【構成】 放電室10内で放電によってターゲット6をスパッタリングし、成膜室1内に設置された基板3上にスパッタ粒子を堆積させるスパッタリング式成膜装置において、放電室を誘電体で形成すると共に放電室の基板との対向端面に小径な開口からなるノズルを有する誘電体製隔壁7を備え、この誘電体製隔壁と放電室内に配置されたターゲットを電極として放電させてスパッタ粒子を発生させ、ノズルを通過したスパッタ粒子を基板に照射して薄膜を形成するように構成したものである。
Claim (excerpt)：
放電室内で放電によってターゲットをスパッタリングし、成膜室内に設置された基板上にスパッタ粒子を堆積させるスパッタリング式成膜装置において、上記放電室を誘電体で形成すると共に放電室の上記基板との対向端面に小径な開口からなるノズルを有する誘電体製隔壁を備え、この誘電体製隔壁と上記放電室内に配置されたターゲットを電極として放電させてスパッタ粒子を発生させ、上記ノズルを通過したスパッタ粒子を上記基板に照射して薄膜を形成するように構成したことを特徴とするスパッタリング式成膜装置。
IPC (3)：
C23C 14/34
, H01L 21/203
, H01L 21/31
