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J-GLOBAL ID：200903065182497916

半導体装置

Inventor： 谷川 聡 ,  五十嵐 一雅 ,  長沢 徳 ,  ▲吉▼尾 信彦 ,  薄井 英之 ,  伊藤 久貴
Applicant, Patent owner： 日東電工株式会社
Agent (1)： 西藤 征彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995113375
Publication number (International publication number)：1996306828
Application date： May. 11, 1995
Publication date： Nov. 22, 1996
Summary：

【要約】【構成】補助配線板2に半導体チップ1が搭載され、上記半導体チップ1と補助配線板2との間隙が、下記の(A)〜(C)を含有するエポキシ樹脂組成物の硬化体3で封止されている半導体装置。(A)エポキシ樹脂(B)下記の一般式(1)で表されるアリルフェノール樹脂【化1】(C)硬化促進剤【効果】上記エポキシ樹脂組成物の硬化体3は、半導体チップ1および補助配線板2に強固に接着し、この結果、半導体装置の信頼性が優れるようになる。

Claim (excerpt)：

補助配線板の板面に、電極を備えた半導体チップが、その電極側を対面させた状態で所定間隙を保って搭載され、上記補助配線板の内部に引回し導体が配設され、この引回し導体の一端が上記補助配線板の半導体チップ搭載側の面から露出する内側電極に形成され、上記引回し導体の他端が上記補助配線板の半導体チップ搭載側と反対側の面から露出する外側電極に形成され、上記内側電極と上記半導体チップの電極とが接合し、少なくとも上記半導体チップと補助配線板との間隙が、樹脂組成物の硬化体により封止されている半導体装置であって、上記樹脂組成物が、下記の(A)〜(C)を含有するエポキシ樹脂組成物であることを特徴とする半導体装置。(A)エポキシ樹脂(B)下記の一般式(1)で表されるアリルフェノール樹脂【化1】(C)硬化促進剤

IPC (3)：

H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  C08G 59/62 NJS

FI (2)：

H01L 23/30 R ,  C08G 59/62 NJS