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J-GLOBAL ID：200903065183161520

光半導体素子

Inventor： 岸 博義
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 加藤 一男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994125732
Publication number (International publication number)：1995312459
Application date： May. 16, 1994
Publication date： Nov. 28, 1995
Summary：

【要約】【目的】Al2O3、AlN、Si3N4などを用いながら、高耐久性と0.1%以下の反射率を実現した光学膜を端面に持つ光半導体素子である。【構成】端面に光学膜を施した光半導体素子1である。光学膜は、2層の誘電体薄膜2、3の組み合わせからなり、端面側の第1の薄膜2は、AlN、Si3N4から選ばれる少なくとも1種の材料とAl2O3の材料との膜からなり、第1の薄膜2上に形成される第2の薄膜3はAl2O3の材料からなる。素子端面側の第1の薄膜2は、、AlN、Si3N4から選ばれる少なくとも1種の材料の組成濃度は素子端面側が大きく、膜厚方向に徐々に組成濃度が減少し、かつAl2O3の組成濃度は素子端面側が小さく、膜厚方向に徐々に組成濃度が増加し、平均屈折率が1.90より大きい傾斜組成膜である。

Claim (excerpt)：

入出力端面に反射防止の光学膜を施した半導体レーザ構造を有する半導体光増幅器において、該光学膜は、2層の誘電体薄膜の組み合わせからなり、該半導体レーザ構造端面側の第1の薄膜は、AlN、Si3N4から選ばれる少なくとも1種の材料と、Al2O3の材料との膜からなり、該AlN、Si3N4から選ばれる少なくとも1種の材料の組成濃度は、半導体レーザ構造端面側が大きく、膜厚方向に徐々に組成濃度が減少し、かつAl2O3の組成濃度は、半導体レーザ構造端面側が小さく、膜厚方向に徐々に組成濃度が増加し、平均屈折率が1.90より大きい傾斜組成膜であり、第2の薄膜はAl2O3の材料からなることを特徴とする半導体光増幅器。