Pat
J-GLOBAL ID:200903065202363342
テーパエッチング方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
小杉 佳男 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1992188115
Publication number (International publication number):1994037072
Application date: Jul. 15, 1992
Publication date: Feb. 10, 1994
Summary:
【要約】【目的】LSIのコンタクトホールにテーパを付与する場合に安定的なプラズマ条件でパーティクルの発生を抑制しつつ簡易な方法で実施する。【構成】レジストパターン3形成後、ポリマーデポジションが生じ易い物質4としてAlをスパッタリング法によって厚さ約100Åを付着させ、Cl2 +BCl3 のガス系で異方性エッチングを行い、側壁以外のAlを除去し、CF4 :CHF3 =1:1とし、デポジット性の弱いプラズマ条件でドライエッチングする。C-F系ポリマーはAl上に選択的にデポジットし、レジストパターンのホール5の直径が順次縮小し、順テーパ形状のコンタクトホール8が形成される。
Claim (excerpt):
ポリマーデポジションが生じ易い物質をレジストパターンのホールの側壁に付着させた後、ドライエッチングを行い、エッチング中にレジストパターン側壁にデポジションを生じさせ、レジストパターンのホールの直径を縮小させながら、下方が小径のテーパを形成することを特徴とするテーパエッチング方法。
IPC (2):
Return to Previous Page