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J-GLOBAL ID：200903065208794132
パワーMOSFETを用いたスイッチング回路
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
櫻井 俊彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992151402
Publication number (International publication number)：1993328747
Application date： May. 19, 1992
Publication date： Dec. 10, 1993
Summary：
【要約】〔目的〕 誘導性負荷のサージ電圧による破壊を有効に防止したパワーMOSFETによるスイッチング回路を提供する。〔構成〕 スイッチング用のパワーMOSFET(S)とプリドライバ(PD)との間にバッファ回路(BF)を設置すると共に、このパワーMOSFETの高圧側端子の電圧をバッファ回路の入力端子に帰還するツェナーダイオード(ZD)などを含む帰還回路を備える。
Claim (excerpt)：
直流電源と誘導性負荷との間に直列接続されるスイッチング用のパワーMOSFETと、このパワーMOSFETのゲート端子に接続されるバッファ回路と、このバッファ回路を介して前記パワーMOSFETのゲート端子にスイッチング用制御信号を供給するプリドライバと、このパワーMOSFETの高圧側端子の電圧を前記バッファ回路の入力端子側に帰還する帰還回路とを備えたことを特徴とするパワーMOSFETを用いたスイッチング回路。
IPC (3)：
H02M 7/537
, B60L 9/18
, H02M 1/00
