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J-GLOBAL ID：200903065209389894

不揮発性半導体メモリ装置およびその読み出し/書き込み方法

Inventor： 西原 利幸
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 佐藤 隆久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994256662
Publication number (International publication number)：1996125041
Application date： Oct. 21, 1994
Publication date： May. 17, 1996
Summary：

【要約】【目的】 メモリセルの占有面積を増大させることなく、共通電位供給配線を各メモリセルから分離させ、チャネルからのFNトンネリングによるエレクトロンの注入を可能にする不揮発性半導体メモリ装置およびその読み出し/書き込み方法を提供すること。【構成】 コントロールゲートとチャネルとの間に電荷を蓄積する作用を持つメモリセルトランジスタ24,25と、複数のメモリセルトランジスタ24,25に共通電位を供給する共通電位供給配線26と、メモリセルトランジスタ24,25と共通電位供給配線26との間に配置された分離用トランジスタ27,28とを有し、分離用トランジスタ27,28のゲート電極30,32が共通電位供給配線26に電気的に接続してある。

Claim (excerpt)：

コントロールゲートとチャネルとの間に電荷を蓄積する作用を持つメモリセルトランジスタと、複数のメモリセルトランジスタに共通電位を供給する共通電位供給配線と、前記メモリセルトランジスタと前記共通電位供給配線との間に配置された分離用トランジスタとを有し、前記分離用トランジスタのゲート電極が前記共通電位供給配線に電気的に接続してある不揮発性半導体メモリ装置。

IPC (7)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  G11C 16/02 ,  H01L 21/76 ,  H01L 21/8246 ,  H01L 27/112

FI (4)：

H01L 29/78 371 ,  G11C 17/00 307 B ,  H01L 21/76 M ,  H01L 27/10 433