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J-GLOBAL ID：200903065215863000

窒化物系III-V族化合物半導体の成長方法および半導体装置

Inventor： 日野 智公 ,  浅野 竹春 ,  朝妻 庸紀
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 杉浦 正知
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998336356
Publication number (International publication number)：2000164989
Application date： Nov. 26, 1998
Publication date： Jun. 16, 2000
Summary：

【要約】【課題】 窒化物系III-V族化合物半導体を成長マスクを用いて選択成長させる場合に、空洞の発生を抑制しつつ高品質の窒化物系III-V族化合物半導体を成長させることができ、半導体装置または半導体装置製造用基板の製造に適用した場合に、信頼性が高く、設計の自由度の高い半導体装置を製造することができる窒化物系III-V族化合物半導体の成長方法および成長マスクを用いて選択成長させた窒化物系III-V族化合物半導体層を有する場合であっても、高い信頼性および高い設計の自由度を実現することができる半導体装置を提供する。【解決手段】 c面サファイア基板1上に成長させたGaN層2上に、成長マスクとしてストライプ形状を有するSiO2 膜3を形成する。SiO2 膜3の上端の幅は4.8μm以下とする。GaN層2上にSiO2 膜3を形成した状態でGaN層2上にGaN層4を選択成長させる。GaN系半導体レーザを製造する場合は、GaN層4上にレーザ構造を形成する半導体層を成長させる。

Claim (excerpt)：

基板上に成長マスクを形成した状態で上記基板上に窒化物系III-V族化合物半導体を成長させるようにした窒化物系III-V族化合物半導体の成長方法において、上記成長マスクの上端の幅を4.8μm以下にしたことを特徴とする窒化物系III-V族化合物半導体の成長方法。

IPC (3)：

H01S 5/323 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00

FI (3)：

H01S 3/18 673 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C

F-Term (40)：

5F041AA31 ,  5F041CA40 ,  5F041CB02 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC18 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AD16 ,  5F045AF02 ,  5F045AF09 ,  5F045AF13 ,  5F045AF20 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045DA55 ,  5F045EE12 ,  5F045EE14 ,  5F073AA03 ,  5F073AA45 ,  5F073AA61 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073CB19 ,  5F073CB22 ,  5F073DA05 ,  5F073DA16 ,  5F073DA25 ,  5F073EA29