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J-GLOBAL ID：200903065217061890
磁性体デバイス及びそれを用いた磁気センサ
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996189366
Publication number (International publication number)：1997128719
Application date： Jul. 18, 1996
Publication date： May. 16, 1997
Summary：
【要約】【課題】小さな電流密度で安定に動作すると共により高い感度を示す磁性体デバイスと同磁性体デバイスを用いた磁気センサを提供する。【解決手段】磁気センサは、エミッタ部10、ベース部20及びコレクタ部30からなる3端子の磁性体デバイスを有する。コレクタ部30となる半導体層31と、ベース部20となる磁性積層膜23とでショットキー接合が形成される。磁性積層膜23は非磁性体膜22を挟んで対向する2つの磁性体膜21a、21bを有する。金属膜12からなるエミッタ部10とベース部20とは、トンネル絶縁膜11を介して接続される。外部磁界により磁性体膜21a、21bの磁化方向の相対関係が変化することにより磁性体デバイスを流れる電流値が変化する。この電流値の変化に基づいて外部磁場が検知される。
Claim (excerpt)：
第1及び第2磁性体膜と、前記第1及び第2磁性体膜間に介在する非磁性体膜と、を含む積層膜と、前記積層膜の一方の面にショットキー接合を介して接続された半導体層を含む電子収集部と、前記積層膜の他方の面にトンネル接合部を介して接続された金属膜を含む電子注入部と、を具備することを特徴とする磁性体デバイス。
IPC (4)：
G11B 5/39
, H01F 10/08
, H01L 29/872
, H01L 43/08
G11B 5/39
, H01F 10/08
, H01L 43/08 Z
, H01L 29/48 Z
