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J-GLOBAL ID：200903065230481148

半導体放射線検出素子およびその製造方法

Inventor： 藤澤 広幸
Applicant, Patent owner： 富士電機株式会社
Agent (1)： 山口 巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994020061
Publication number (International publication number)：1995231112
Application date： Feb. 17, 1994
Publication date： Aug. 29, 1995
Summary：

【要約】【目的】絶縁膜としてアモルファスカーボン膜などを用いたMIS構造を有する半導体放射線検出素子の絶縁膜のピンホールによる不良品を少なくする。【構成】絶縁膜上の金属電極を複数領域に分割し、裏面電極との間の電圧印加により不良箇所を見出し、その不良箇所以外の電極領域のみを導体層により相互に接続して用いる。これにより素子全体としての特性は維持され、製造歩留まりが向上する。

Claim (excerpt)：

半導体基板の表面上に絶縁膜を介して金属からなる電極が設けられるものにおいて、電極が間隔をあけて形成された複数の領域からなり、その領域が導体層の被着により選択的に相互に接続されたことを特徴とする半導体放射線検出素子。