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J-GLOBAL ID：200903065233979465

発光ダイオード及びその製造方法

Inventor： 水庭 清治 ,  柴田 幸弥
Applicant, Patent owner： 日立電線株式会社
Agent (1)： 松本 孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995196546
Publication number (International publication number)：1997045961
Application date： Aug. 01, 1995
Publication date： Feb. 14, 1997
Summary：

【要約】【課題】AlGaInP層を複数層含むエピタキシャル層を、LPE法を用いて1工程で100μm以上形成し、基板除去タイプの裏面反射型AlGaInP系の黄色〜橙色LEDを製造できるようにする。【解決手段】GaAs基板12上にLPE法により次の温度プログラムで成長させる。960°Cに昇温した後冷却を開始し950〜800°Cの間でp型Al0.7Ga0.3 Asクラッド層1を約100μm成長させる。その後再昇温し、950〜935°Cの間でp型Al0.5 In0.5 Pクラッド層2、p型(Al0.3 Ga0.7 )0.5 In0.5 P活性層3、n型Al0.5 In0.5 Pクラッド層4をそれぞれ約1μm成長させる。続けて935°C〜880°Cの間でn型Al0.7 Ga0.3 Asクラッド層5を約50μm成長させた後、室温まで冷却する。GaAs基板12を除去してから表裏に電極6を取り付け、LEDチップを製造する。

Claim (excerpt)：

裏面反射型のAlGaInP系発光ダイオードであって、p型Al<SB>z </SB>Ga<SB>1-z</SB>Asクラッド層(zは出力光に対し透明になる組成)、p型(Al<SB>y </SB>Ga<SB>1-y </SB>)<SB>0.5 </SB>In<SB>0.5 </SB>Pクラッド層(y≦1)、p型(Al<SB>x </SB>Ga<SB>1-x </SB>)<SB>0.5 </SB>In<SB>0.5 </SB>P活性層(x<y)、n型(Al<SB>y </SB>Ga<SB>1-y </SB>)<SB>0.5 </SB>In<SB>0.5 </SB>Pクラッド層、n型Al<SB>z </SB>Ga<SB>1-z </SB>Asクラッド層が順次液相エピタキシャル成長された層であり、その全厚が少なくとも100μmある発光ダイオード。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/208

FI (2)：

H01L 33/00 B ,  H01L 21/208 S