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J-GLOBAL ID：200903065234274554
薄膜トランジスタマトリックスの製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992232518
Publication number (International publication number)：1994082820
Application date： Sep. 01, 1992
Publication date： Mar. 25, 1994
Summary：
【要約】【目的】 薄膜トランジスタマトリックスの製造方法に関し,ゲート電極及びゲートバスラインを液晶ディスプレイに表示むらの生じないように形成する方法の提供を目的とする。【構成】 透明絶縁性基板にゲート電極及びゲートバスラインを形成するに際し,透明絶縁性基板1に第1の金属膜を堆積した後エッチングして,ゲートバスラインの第1の層2aを形成するとともに, 次に形成するゲートバスラインの第2の層及びゲート電極の形成領域外に該第1の金属膜2bを残し,次いで,全面に第2の金属膜3を堆積した後,マスク4を用いて第2の金属膜3を選択的にエッチングし,ゲートバスラインの第2の層及びゲート電極5aを形成し,次いで,ゲートバスラインの第2の層及びゲート電極5aの形成領域外に残った第1の金属膜2bを選択的にエッチングして除去することにより, ゲートバスライン及びゲート電極を形成するように構成する。
Claim (excerpt)：
透明絶縁性基板上に形成され,マトリックス状に配置された薄膜トランジスタと該薄膜トランジスタのゲート電極に接続するゲートバスラインを有し,該ゲートバスラインは2層の金属膜からなる薄膜トランジスタマトリックスの製造において,透明絶縁性基板(1) にゲート電極及びゲートバスラインを形成するに際し,該透明絶縁性基板(1) に第1の金属膜を堆積した後エッチングして,ゲートバスラインの第1の層(2a)を形成するとともに, 次に形成するゲートバスラインの第2の層及びゲート電極の形成領域外に該第1の金属膜(2b)を残し,次いで,全面に第2の金属膜(3) を堆積した後,マスク(4) を用いて該第2の金属膜(3) を選択的にエッチングし,ゲートバスラインの第2の層及びゲート電極(5a)を形成し,次いで,該ゲートバスラインの第2の層及びゲート電極(5a)の形成領域外に残った第1の金属膜(2b)を選択的にエッチングして除去することにより, ゲートバスライン及びゲート電極を形成することを特徴とする薄膜トランジスタマトリックスの製造方法。
IPC (3)：
G02F 1/136 500
, H01L 21/3205
, H01L 29/784
H01L 21/88 B
, H01L 29/78 311 A
