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J-GLOBAL ID：200903065238802180

プラズマCVD装置

Inventor： 佐野 久義
Applicant, Patent owner： 株式会社島津製作所
Agent (1)： 武石 靖彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992076866
Publication number (International publication number)：1993283343
Application date： Mar. 31, 1992
Publication date： Oct. 29, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 片面ずつ電力制御できる両面放電プラズマCVD装置を提供する。【構成】 別個の電源に接続された2枚の電力印加用金属平板8A,8Bの間に接地金属平板10を配設することでこれら2枚の電力印加用金属平板の電気的干渉を遮断する。

Claim (excerpt)：

電力を印加する第一電極と、この第一電極の両面にそれぞれ対向して設けられた接地第二電極との間でプラズマを発生して、接地第二電極上に載置した基板表面に薄膜を形成する両面放電型プラズマCVD装置において、該第一電極が、1)接地金属平板と、2)該接地金属平板の両面に絶縁スペ-サを挟んで平行配置した電力印加用金属平板とからなり、3)各電力印加用金属平板にはそれぞれ別個の電源から電力を供給すること、を特徴としたプラズマCVD装置。

IPC (2)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/50