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J-GLOBAL ID：200903065239390358

シリコンウエーハ及びその製造方法

Inventor： 水原 洋治 ,  碇 敦 ,  石坂 和紀 ,  出合 博之
Applicant, Patent owner： ワッカー・エヌエスシーイー株式会社
Agent (1)： 八田 幹雄 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001301900
Publication number (International publication number)：2003109964
Application date： Sep. 28, 2001
Publication date： Apr. 11, 2003
Summary：

【要約】【課題】 チョクラルスキー法で製造した窒素添加シリコンウエーハを熱処理する際に、シリコンウエーハ中のスリップ転位の発生を防止する方法を提供する【解決手段】 チョクラルスキー法によって製造した窒素含有量が1013〜2×1016atoms/cm3であるシリコンウエーハについて、最高温度として1000〜1200°Cの温度で熱処理する方法であって、その窒素含有量に応じて各温度領域における昇温速度および降温速度を特定値にすることによるシリコンウエーハの製造方法および該方法で製造され得るシリコンウエーハ。

Claim (excerpt)：

チョクラルスキー法によって製造した窒素含有量が1013atoms/cm3以上1014atoms/cm3未満であるシリコンウエーハについて、最高温度として1000°C以上1200°C以下の温度で熱処理する方法であって、その時の昇温速度として室温から1000°Cまでを15°C/min以下、1000から1100°Cまでを6°C/min以下、1100から1200°Cまでを1°C/min以下とし、降温速度として1200から1100°Cまでを1°C/min以下、1100から1000°Cまでを6°C/min以下、1000°Cから室温までを15°C/min以下とする条件で熱処理することを特徴とするシリコンウエーハの製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/324 ,  H01L 21/322

FI (2)：

H01L 21/324 X ,  H01L 21/322 Y