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J-GLOBAL ID：200903065241171930

プラズマ処理装置

Inventor： 島田 豊 ,  加藤 寿 ,  柿崎純一 ,  青木 一二
Applicant, Patent owner： 東京エレクトロン株式会社 ,  東京エレクトロン東北株式会社
Agent (1)： 井上 俊夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992072934
Publication number (International publication number)：1993234950
Application date： Feb. 24, 1992
Publication date： Sep. 10, 1993
Summary：

【要約】【目的】 半導体ウエハをプラズマ処理するにあたってプラズマ発生用電極とマニホ-ルドとの間の放電を防止すること。【構成】 反応管1を保持しているマニホ-ルド2とプラズマ発生用電極4、5との間にて、反応管1の外周を取り囲むように放電トラップ電極9を設け、この放電トラップ電極9をベ-スプレ-ト20に接続して接地する。放電トラップ電極9がマニホ-ルド2よりもプラズマ発生用電極5、6に近いため、反応管1の下部のガス圧が低くなっても放電トラップ電極9との間で放電し、マニホ-ルド2との間では放電しない。また、放電トラップ電極9を設ける代わりにマニホ-ルド2の内面を石英よりなる絶縁カバ-21により略密着して覆うことによって、絶縁カバ-21の分極により生じた電荷がマニホ-ルド2の逆の電荷により消失するので、同様の効果が得られる。

Claim (excerpt)：

金属製の保持部材の上に保持された縦型の反応管内に処理ガスを導入し、反応管の周方向に沿って配置されたプラズマ発生用電極間に電圧を印加してプラズマを発生させ、反応管内の被処理体をプラズマ処理する装置において、接地された放電トラップ電極を、前記プラズマ発生用電極と前記保持部材との間に反応管の周方向に沿って設けたことを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (2)：

H01L 21/302 ,  C23F 4/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平2-174225
  
• 特開昭62-063420
  
• 特開昭62-105996