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J-GLOBAL ID：200903065258574958

C60作製方法

Inventor： 角野 真也
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体エネルギー研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991178703
Publication number (International publication number)：1993004810
Application date： Jun. 24, 1991
Publication date： Jan. 14, 1993
Summary：

【要約】【目的】 本発明はC60およびC60含有率の高い煤を制御性良く大量に作製することを目的とするものである。【構成】 本発明はC60を含有している煤を作製するにおいて、炭素原子を含む気体と希釈ガスをプラズマ化することにより活性化される炭素を用い、さらにプラズマ発生室内壁および基板を冷却する方法を採用したものである。

Claim (excerpt)：

大気圧から10-2Torrに保持されたプラズマ発生室に炭素原子を含む気体を導入し、該混合気体に対して外部より電力を加えることによって、炭素の活性種、特にC2 ラジカル、を含むプラズマを発生せしめ、該プラズマを冷却するためにクゥエンチガスを導入することによって、プラズマ発生室内壁もしくはプラズマ発生室内部の障害物または基板上にC60含有率が5%以上の煤を堆積させ、C60を含有する原料として上記の煤を用いることを特徴とするC60作製方法。

IPC (3)：

C01B 31/02 101 ,  C23C 16/26 ,  C23C 16/50