Pat
J-GLOBAL ID：200903065264547610
半田バンプの形成方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993170086
Publication number (International publication number)：1995030014
Application date： Jul. 09, 1993
Publication date： Jan. 31, 1995
Summary：
【要約】【目的】 半田バンプ不良を抑制する。【構成】 電極を包囲するレジスト枠を形成するステップと、クリーム半田を前記レジスト枠内に充填するステップと、しかる後に加熱してクリーム半田を溶融し半田バンプとなすステップからなる。
Claim (excerpt)：
電子部品又は基板に設けられた複数の電極にクリーム半田を用いた半田バンプを形成するにあたり、前記電極を包囲するレジスト枠を形成するステップと、クリーム半田を前記レジスト枠内に充填するステップと、しかる後に加熱してクリーム半田を溶融し半田バンプとなすステップとを有することを特徴とする半田バンプの形成方法。
IPC (4)：
H01L 23/12
, H01L 21/60 311
, H01L 21/321
, H05K 3/34 505
H01L 23/12 L
, H01L 21/92 F
