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J-GLOBAL ID：200903065289532854

量子井戸型半導体レーザ

Inventor： 今井 秀秋 ,  後藤 広将
Applicant, Patent owner： 旭化成工業株式会社
Agent (1)： 谷 義一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992314770
Publication number (International publication number)：1994164055
Application date： Nov. 25, 1992
Publication date： Jun. 10, 1994
Summary：

【要約】【目的】 窒化物系半導体からなる短波長半導体レーザを得る。【構成】 Ga1-a-b Ina Alb N半導体からなる井戸層11が、井戸層11とほぼ格子整合すると共に井戸層11よりもバンドギャップが大きなGa1-x-yInx Aly N半導体からなるバリア層12で挟まれた量子井戸を少なくとも一つ有する量子井戸構造を活性層とする半導体レーザとする。

Claim (excerpt)：

Ga1-a-b Ina Alb N(0≦a≦1,0≦b≦0.5)半導体からなる井戸層をそれぞれ該井戸層とほぼ格子整合すると共に該井戸層よりもバンドギャップが大きなGa1-x-y Inx Aly N(0≦x≦1,0≦y≦1)半導体からなるバリア層で挟んだ量子井戸を少なくとも一つ有する量子井戸構造を有し、それぞれ前記バッファ層とほぼ格子整合すると共に該バリア層よりもバンドギャップが大きくかつ互いに導電型が異なるGa1-p-q Inp Alq N(0≦p≦1,0≦q≦1)半導体からなる二つのクラッド層で前記量子井戸構造を挟んだサンドイッチ構造を具備することを特徴とする量子井戸型半導体レーザ。