Pat

J-GLOBAL ID：200903065299490602

光半導体装置

Inventor： アシュラフ ウディン
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992271088
Publication number (International publication number)：1994097506
Application date： Sep. 14, 1992
Publication date： Apr. 08, 1994
Summary：

【要約】【目的】 高正孔濃度の低抵抗p型化合物半導体層を具備する光半導体装置を提供することを目的とする。【構成】 Zn及びCdの少なくとも一方を含むカルコゲナイド、又はIII 族の窒化物からなる化合物半導体層と、この化合物半導体層の価電子帯の上端エネルギ-レベルより低い価電子帯の上端エネルギ-レベルを有する物質の薄膜とを、交互に、膜厚に周期性を有することなくランダムに形成してなるp型化合物半導体層を具備し、前記薄膜にはアクセプタがド-プされ、それによって前記薄膜間の化合物半導体層はp型とされることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

Zn及びCdの少なくとも一方を含むカルコゲナイド、又はIII 族の窒化物からなる化合物半導体層と、この化合物半導体層の価電子帯の上端エネルギ-レベルより低い価電子帯の上端エネルギ-レベルを有する物質の薄膜とを、交互に、膜厚に周期性を有することなくランダムに形成してなるp型化合物半導体層を具備し、前記薄膜にはアクセプタがド-プされ、それによって前記薄膜間の化合物半導体層はp型とされることを特徴とする光半導体装置。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 特開平4-199887
  
• 特開昭60-052067
  
• 特開平3-270278