酸化シリコン膜形成法及び多層配線形成法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：伊沢敏昭
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997043020
Publication number (International publication number)：1998223627
Application date： Feb. 12, 1997
Publication date： Aug. 21, 1998
Summary：

【要約】【課題】水素シルセスキオキサン樹脂を用いる酸化シリコン膜形成法において、はがれにくい酸化シリコン膜を形成可能とする。【解決手段】半導体基板10の表面を覆うBPSG等の絶縁膜の上に配線層16を形成した後、プラズマCVD法により絶縁膜上に層16を覆って酸化シリコン膜18を形成する。基板上面に水素シルセスキオキサン樹脂膜を回転塗布法により平坦状に塗布した後、樹脂膜を不活性ガス雰囲気中で熱処理してプレセラミック状の酸化シリコン膜とし、さらにこの酸化シリコン膜を酸化性雰囲気中で熱処理してセラミック状の酸化シリコン膜20とする。セラミック化のための熱処理にて膜20中のSi-H含有量が樹脂膜中のSi-H含有量の30%以下になるまで熱処理を行なうと、絶縁膜22、配線層30、保護膜36の形成後、ICチップを樹脂封止して温度サイクル試験にかけても膜18,20の界面Yではがれが生じない。

Claim (excerpt)：

基板を覆う絶縁膜の上に水素シルセスキオキサン樹脂膜を平坦状に形成する工程と、不活性ガス雰囲気中で前記水素シルセスキオキサン樹脂膜を熱処理してプレセラミック状の酸化シリコン膜にする工程と、酸化性雰囲気中で前記酸化シリコン膜を熱処理してセラミック状の酸化シリコン膜にする工程であって、前記水素シルセスキオキサン樹脂膜中のシリコン原子結合水素原子の含有量に対して前記セラミック状の酸化シリコン膜中のシリコン原子結合水素原子の含有量が30%以下になるまで熱処理を行なうものとを含む酸化シリコン膜形成法。

IPC (2)：

H01L 21/316 , H01L 21/768

FI (3)：

H01L 21/316 G , H01L 21/90 M , H01L 21/90 P

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

多層配線形成法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-201590 Applicant：ヤマハ株式会社

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