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J-GLOBAL ID：200903065316729800

絶縁膜の形成方法

Inventor： 村瀬 克実
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 三好 秀和 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992124669
Publication number (International publication number)：1993326495
Application date： May. 18, 1992
Publication date： Dec. 10, 1993
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、500°C程度以下の低温で析出される酸化物絶縁膜の含水量の低減と耐湿性の向上とを実現することを目的とする。【構成】 所要の原料から500°C程度以下の温度で酸化物絶縁膜を析出させた後、その酸化物絶縁膜をオゾンを含む雰囲気で熱処理することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

所要の原料から500°C程度以下の温度で酸化物絶縁膜を析出させた後に該酸化物絶縁膜をオゾンを含む雰囲気で熱処理することを特徴とする絶縁膜の形成方法。