半導体露光装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山本孝久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993308743
Publication number (International publication number)：1995142800
Application date： Nov. 15, 1993
Publication date： Jun. 02, 1995
Summary：

【要約】【目的】簡単な構造でしかも光強度を低下させることなくレーザ光の干渉性を低減することができる半導体露光装置を提供する。【構成】半導体露光装置は、レーザ光源10、及びこのレーザ光源10から射出された光が入射されそしてこの入射光の第2高調波に基づいた波長を有する光を射出する第2高調波発生装置20を具備し、(イ)第2高調波発生装置20から射出された光の光路をN個(但しN≧2)の光路に分割する光路分割手段41と、(ロ)少なくとも(N-1)個の分割された光路に配置された光路長伸長手段40と、(ハ)N個に分割された光路を1つに合成する光路合成手段50とから成り、分割された光路の光路長と他の光路の光路長との光路差が、第2高調波発生装置20から射出された光の可干渉距離以上である。

Claim (excerpt)：

レーザ光源、及び該レーザ光源から射出された光が入射されそして該光の第2高調波に基づいた波長を有する光を射出する第2高調波発生装置を具備した半導体露光装置であって、(イ)第2高調波発生装置から射出された光の光路をN個(但しN≧2)の光路に分割する光路分割手段と、(ロ)少なくとも(N-1)個の分割された光路に配置された光路長伸長手段と、(ハ)N個に分割された光路を1つに合成する光路合成手段、とから成り、分割された光路の光路長と他の光路の光路長との光路差が、第2高調波発生装置から射出された光の可干渉距離以上であることを特徴とする半導体露光装置。

IPC (3)：

H01S 3/101 , G03F 7/20 505 , H01L 21/027

FI (2)：

H01L 21/30 515 B , H01L 21/30 515 D

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

投影露光装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-016590 Applicant：株式会社ニコン

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