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J-GLOBAL ID：200903065341851530

窒化物系III-V族化合物の結晶製造方法、窒化物系III-V族化合物結晶基板、窒化物系III-V族化合物結晶膜およびデバイスの製造方法

Inventor： 森田 悦男
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 藤島 洋一郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999345246
Publication number (International publication number)：2001168028
Application date： Dec. 03, 1999
Publication date： Jun. 22, 2001
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】 表面欠陥の無い窒化物系III-V族化合物結晶基板および窒化物系III-V族化合物結晶膜、それらを製造するための窒化物系III-V族化合物の結晶製造方法、ならびにそれらを用いたデバイスの製造方法を提供する。【課題手段】 基体11の表面に窒化物系III-V族化合物の結晶を成長させて下地結晶層12を形成し、下地結晶層12の表面に第1のマスクパターン13を形成する。これをマスクとして下地結晶層12をエッチングしたのち、窒化物系中間結晶層14を形成する。続いて、この表面に第2のマスクパターン15を形成し、これを介して中間結晶層14をエッチングしたのち、窒化物系結晶を成長させて表面結晶層を形成する。中間結晶層14の結晶成長は下地結晶層12のエッチング溝12aの側面から開始されるため、中間結晶層14への転位の伝播が起こりにくい。

Claim (excerpt)：

基体の表面に窒化物系III-V族化合物の結晶を成長させることにより第1の結晶層を形成する第1の成長工程と、前記第1の結晶層の表面に第1のマスクパターンを形成する第1のマスク形成工程と、前記第1のマスクパターンを介して前記第1の結晶層をエッチングする第1のエッチング工程と、前記第1の結晶層から窒化物系III-V族化合物の結晶を成長させることにより第2の結晶層を形成する第2の成長工程と、前記第2の結晶層の表面に第2のマスクパターンを形成する第2のマスク形成工程と、前記第2のマスクパターンを介して前記第2の結晶層をエッチングする第2のエッチング工程と、前記第2の結晶層から窒化物系III-V族化合物の結晶を成長させることにより第3の結晶層を形成する第3の成長工程とを特徴とする窒化物系III-V族化合物の結晶製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/20 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323

FI (3)：

H01L 21/20 ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/323

F-Term (26)：

5F041AA40 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA67 ,  5F041CA74 ,  5F041CA75 ,  5F041CA77 ,  5F052CA01 ,  5F052DA04 ,  5F052DB06 ,  5F052FA13 ,  5F052GC06 ,  5F052JA08 ,  5F052KA03 ,  5F073AA45 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073DA05 ,  5F073DA07 ,  5F073DA25 ,  5F073DA35 ,  5F073EA29