Pat
J-GLOBAL ID:200903065342585329

シリカ系被膜形成用塗布液およびその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000051137
Publication number (International publication number):2001115029
Application date: Feb. 28, 2000
Publication date: Apr. 24, 2001
Summary:
【要約】【課題】 半導体素子の製造において使用される平坦化膜や層間絶縁膜などとして有用な比誘電率の低いシリカ系被膜形成用塗布液及びこのものを効率よく製造する方法を得る。【解決手段】 テトラアルコキシシランとアルキルトリアルコキシシランとからなるポリアルコキシシラン化合物の塩基性加水分解縮合生成物を、SiO2換算濃度5〜25重量%の割合で含有する有機溶剤溶液からなるシリカ系被膜形成用塗布液。
Claim (excerpt):
テトラアルコキシシランとアルキルトリアルコキシシランとからなるポリアルコキシシラン化合物の塩基性加水分解縮合生成物を、SiO2換算濃度5〜25重量%の割合で含有する有機溶剤溶液からなるシリカ系被膜形成用塗布液。
IPC (5):
C08L 83/04 ,  C08G 77/06 ,  C09D183/04 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/316
FI (5):
C08L 83/04 ,  C08G 77/06 ,  C09D183/04 ,  H01L 21/312 C ,  H01L 21/316 G
F-Term (27):
4J002CP031 ,  4J002DF007 ,  4J002DJ016 ,  4J002EN007 ,  4J002FD147 ,  4J002GQ05 ,  4J002HA01 ,  4J035AA01 ,  4J035BA11 ,  4J035EA01 ,  4J035EB02 ,  4J035EB03 ,  4J035LA03 ,  4J035LB01 ,  4J038DL021 ,  4J038DL031 ,  4J038KA06 ,  4J038NA21 ,  4J038PB09 ,  5F058AC03 ,  5F058AF04 ,  5F058AH02 ,  5F058BA20 ,  5F058BD04 ,  5F058BF46 ,  5F058BH04 ,  5F058BJ02
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (16)
Show all

Return to Previous Page