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J-GLOBAL ID:200903065347249572

プラズマ処理装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 須山 佐一 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1991090404
Publication number (International publication number):1993121334
Application date: Apr. 22, 1991
Publication date: May. 18, 1993
Summary:
【要約】【目的】 金属汚染の発生を抑制することができ、従来に較べて良好な処理を行うことのできるプラズマ処理装置を提供する。【構成】 上部電極2上に設けられた配管接続ブロック8は、セラミックス等から矩形のブロック状に形成されており、内部に処理ガス流路9、冷媒入口流路10、冷媒出口流路11が設けられている。これらの流路の上部にそれぞれ処理ガス供給配管13、冷媒入口配管14、冷媒出口配管15が接続されている。
Claim (excerpt):
被処理物を収容するチャンバと、このチャンバ内に設けられ高周波電圧が印加される電極と、前記チャンバ内に所定の処理ガスを供給する処理ガス供給配管系とを具備したプラズマ処理装置において、前記処理ガス供給配管系の処理ガスとの接触部の少なくとも一部を、非金属製部材から構成したことを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (2):
H01L 21/205 ,  H01L 21/302
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (1)
  • 特開昭61-292920

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