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J-GLOBAL ID：200903065355854906

メモリ・アプリケーション用の絶縁性の高い複合薄膜

Inventor： ゲアリ・ベラ・ブロンナー ,  ステファン・アラン・コウエン ,  デイビッド・マーク・ダブジンスキー ,  ジェフリー・ピーター・ガンビーノ ,  ハーバート・レイ・ホー ,  カレン・ポペック・マドン
Applicant, Patent owner： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
Agent (1)： 坂口 博 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998004774
Publication number (International publication number)：1998209403
Application date： Jan. 13, 1998
Publication date： Aug. 07, 1998
Summary：

【要約】【課題】 高度なメモリ・アプリケーションに使用される絶縁性の高い複合材料の製造方法を提供する。【解決手段】 複合絶縁材料は、Si3N4薄膜内部に相互拡散されたTiO2またはTa2O5などの金属酸化物を含む。この複合絶縁材料を含むデバイスも開示されている。

Claim (excerpt)：

複合絶縁構造を形成する方法であって、(a)半導体基板の上面にSi3N4層を付着させるステップと、(b)前記Si3N4層上に金属層を形成するステップと、(c)前記Si3N4層内に相互拡散された金属シリサイド層を形成するための十分な条件の下で、前記ステップ(b)で形成された複合体をアニールするステップと、(d)前記金属シリサイド層を金属酸化物を含む層に転化するための十分な条件の下で、前記ステップ(c)で生成された複合体を酸化するステップと、を含む方法。

IPC (3)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/318

FI (2)：

H01L 27/10 651 ,  H01L 21/318 M