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J-GLOBAL ID：200903065367638877

化合物半導体及びその製造方法

Inventor： 下山 謙司 ,  後藤 秀樹
Applicant, Patent owner： 三菱化成株式会社
Agent (1)： 長谷川 一 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992141807
Publication number (International publication number)：1993175150
Application date： Jun. 02, 1992
Publication date： Jul. 13, 1993
Summary：

【要約】【構成】 化合物半導体薄膜を水素化物及び有機金属ガスを用いて気相成長する直前に、単結晶基板及び/又は単結晶薄膜の表面のガスエッチングを成長室で行なう工程を含むIII -V族化合物半導体の製造方法においてキャリアガス及びエッチングガス以外にIII 族の有機金属ガス及び/又はV族元素を含む水素化物若しくはV族の有機金属ガスも同時に導入することを特徴とする製造方法。【効果】 単結晶基板とエピタキシャル層の界面及び再成長界面の不純物汚染、酸化膜、熱変成層等を除去することにより表面の清浄化をおこないかつ意図に反したキャリア濃度の蓄積、欠乏が抑えられたため、従来の作製法の素子に比べて特性が大幅に向上する。

Claim (excerpt)：

化合物半導体薄膜を水素化物及び有機金属ガスを用いて気相成長する直前に、単結晶基板及び/又は単結晶薄膜の表面のガスエッチングを成長室で行なう工程を含むIII -V族化合物半導体の製造方法においてキャリアガス及びエッチングガス以外にIII 族の有機金属ガス及び/又はV族元素を含む水素化物若しくはV族の有機金属ガスも同時に導入することを特徴とする製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/302 ,  H01L 27/12

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭59-065434
  
• 特開昭51-074580
  
• 特開昭63-182299
  
• 特開平4-175293