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J-GLOBAL ID：200903065370702322

半導体装置

Inventor： 新井 高雄
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994030675
Publication number (International publication number)：1995240510
Application date： Feb. 28, 1994
Publication date： Sep. 12, 1995
Summary：

【要約】【目的】動作電圧の低い半導体集積回路に適用できるように、ターンオン電圧の低い静電気保護用半導体装置を提供する。【構成】P型領域4(アノード),N- 型シリコン基板1,P型領域2(ゲート),N+ 型領域5(カソード)からなるサイリスタ部と、電極9(ゲート電極),P型領域2(ドレイン領域),P型領域3(ソース領域)からなるMOSトランジスタとを合成して構成する。

Claim (excerpt)：

N型半導体基板の下面に設けた第1のP型領域をアノードとし、前記第1のP型領域に対向する前記N型半導体基板の上面に形成した第2のP型領域をゲートとし、前記第2のP型領域内に形成した第1のN型領域をカソードとするサイリスタ部と、前記サイリスタ部のゲートを兼ねる前記第2のP型領域をドレインとし、前記第2のP型領域に近接する前記N型半導体基板の上面に形成し且つ前記サイリスタ部のアノードと電気的に接続した第3のP型領域をソースとし、前記第2および第3のP型領域の間の前記N型半導体基板上にゲート絶縁膜を介して形成し且つ前記サイリスタ部のカソードと電気的に接続した電極をゲート電極とするMOSトランジスタ部とを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 29/74 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 29/78

FI (4)：

H01L 29/74 N ,  H01L 27/04 H ,  H01L 29/74 G ,  H01L 29/78 301 K