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J-GLOBAL ID：200903065381464032

半導体装置

Inventor： 前田 政利 ,  秋月 伸也
Applicant, Patent owner： 日東電工株式会社
Agent (1)： 西藤 征彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991197055
Publication number (International publication number)：1993082675
Application date： Jul. 11, 1991
Publication date： Apr. 02, 1993
Summary：

【要約】【構成】 下記の(A)〜(D)成分を含有するエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を樹脂封止する。(A)少なくとも下記の構造式(1)で表される繰り返し単位を含むエポキシ樹脂。【化1】(B)フエノール樹脂。(C)無機質充填剤。(D)硬化促進剤。【効果】 半田付け工程等の急激な温度変化による熱ストレスを受けたときの耐クラツク性に優れ、特に表面実装パツケージに搭載される高集積大形半導体素子等に対して高い信頼性を付与することができる。

Claim (excerpt)：

下記の(A)〜(D)成分を含有するエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなる半導体装置。(A)少なくとも下記の構造式(1)で表される繰り返し単位を含むエポキシ樹脂。【化1】(B)フエノール樹脂。(C)無機質充填剤。(D)硬化促進剤。

IPC (4)：

H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  C08G 59/20 NHQ ,  C08G 59/62 NJS