Pat

J-GLOBAL ID：200903065393665610

半導体素子・集積回路装置

Inventor： 横塚 俊亮 ,  中村 秀
Applicant, Patent owner： 旭硝子株式会社
Agent (1)： 泉名 謙治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994045836
Publication number (International publication number)：1995254665
Application date： Mar. 16, 1994
Publication date： Oct. 03, 1995
Summary：

【要約】【目的】封止樹脂と半導体素子の間に保護膜として含フッ素脂肪族環構造を有するフッ素樹脂の薄膜を有する半導体素子・集積回路装置において、該フッ素樹脂と封止樹脂との密着性を向上させ、信頼性向上させる。【構成】フッ素樹脂保護膜の表面にエネルギー線照射を行った後に、封止樹脂により封止を行う。

Claim (excerpt)：

封止樹脂と半導体素子の間に保護膜として含フッ素脂肪族環構造を有するフッ素樹脂の薄膜を有する半導体素子・集積回路装置において、前記薄膜の封止樹脂側表面がエネルギー線により処理されていることを特徴とする半導体素子・集積回路装置。

IPC (5)：

H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  C09D127/12 PFG ,  C08F 16/24 MKZ ,  C08F 16/32 MLA

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 特開平2-088647
  
• 特開昭55-130133
  
• 特開平3-068140
  
• 特開平1-128552
  
• 特開平2-277258