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J-GLOBAL ID：200903065410620995

半導体装置に使用する絶縁膜

Inventor： 園田 真久 ,  首藤 晋 ,  田中 みわ ,  荒木 仁 ,  伊高 利昭 ,  角田 弘昭
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996100977
Publication number (International publication number)：1997289209
Application date： Apr. 23, 1996
Publication date： Nov. 04, 1997
Summary：

【要約】【課題】 電子トラップの防止と耐湿性の向上を図る。【解決手段】 Si-H結合を有するガスを含む原料ガスによりCVD膜(層間絶縁膜又はパッシベ-ション膜)を製造する場合において、CVD膜中のSi-H結合量を0.6×1021cm-3以下にすることにより、ゲ-ト酸化膜又はトンネル酸化膜における電子トラップの発生を抑制し、トランジスタの閾値変動を防ぐ。また、CVD膜の屈折率を1.65以上にするか、又はCVD膜中の窒素濃度を3×1021cm-3以上にすることによって、耐湿性を向上させることができる。

Claim (excerpt)：

Si-H結合を有するガスを含む原料ガスを用いてCVD法により形成される絶縁膜を有する半導体装置において、前記絶縁膜中のSi-H結合量は、0.6×1021cm-3以下であることを特徴とする半導体装置。

IPC (9)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/318 ,  H01L 21/768 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (7)：

H01L 21/316 X ,  H01L 21/318 C ,  H01L 21/90 L ,  H01L 21/90 P ,  H01L 27/10 691 ,  H01L 29/78 301 N ,  H01L 29/78 371

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 特開平2-234430