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J-GLOBAL ID：200903065412267672

結晶配向ビスマス層状ペロブスカイト型化合物及びその製造方法

Inventor：
谷 俊彦

About 谷 俊彦

, 
竹内 嗣人

About 竹内 嗣人

, 
斎藤 康善

About 斎藤 康善


Applicant, Patent owner：
株式会社豊田中央研究所

About 株式会社豊田中央研究所


Agent (1)： 高橋 祥泰 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998200451
Publication number (International publication number)：2000034194
Application date： Jul. 15, 1998
Publication date： Feb. 02, 2000
Summary：
【要約】【課題】 密度と配向度の歩留まりが高く,圧電特性が大きく,かつ特性の再現性に優れた結晶配向ビスマス層状ペロブスカイト型化合物及びその製造方法を提供すること。【解決手段】 一般式が(Bi2O2)2+(Am-1BmO3m+1)2-で表され,上記Aは1〜3価の金属元素,一方,Bは2〜6価の金属元素である結晶配向ビスマス層状ペロブスカイト型化合物。このビスマス層状ペロブスカイト型化合物は,ロットゲーリング(Lotgering)法による平均配向度が80%以上であり,かつ,相対密度95%以上の体積が95%以上を占めている。
Claim (excerpt)：
一般式が(Bi2O2)2+(Am-1BmO3m+1)2-で表され,上記Aは1〜3価の金属元素,一方,Bは2〜6価の金属元素である結晶配向ビスマス層状ペロブスカイト型化合物であって,ロットゲーリング(Lotgering)法による平均配向度が80%以上であり,かつ,相対密度95%以上の体積が95%以上を占めていることを特徴とするビスマス層状ペロブスカイト型化合物。
IPC (5)：
C30B 29/22 ,  C01G 1/00 ZAA ,  C01G 29/00 ,  C04B 35/495 ZAA ,  H01L 41/187
FI (5)：
C30B 29/22 D ,  C01G 1/00 ZAA S ,  C01G 29/00 ,  C04B 35/00 ZAA J ,  H01L 41/18 101 B
F-Term (57)：
4G030AA01 ,  4G030AA03 ,  4G030AA04 ,  4G030AA05 ,  4G030AA07 ,  4G030AA08 ,  4G030AA09 ,  4G030AA10 ,  4G030AA12 ,  4G030AA13 ,  4G030AA16 ,  4G030AA17 ,  4G030AA19 ,  4G030AA20 ,  4G030AA21 ,  4G030AA22 ,  4G030AA23 ,  4G030AA24 ,  4G030AA25 ,  4G030AA27 ,  4G030AA28 ,  4G030AA29 ,  4G030AA32 ,  4G030AA33 ,  4G030AA43 ,  4G030BA10 ,  4G030CA02 ,  4G030CA03 ,  4G030GA09 ,  4G030GA18 ,  4G030GA25 ,  4G047AA01 ,  4G047AB01 ,  4G047AC01 ,  4G047AD04 ,  4G047CA01 ,  4G047CA06 ,  4G047CA07 ,  4G047CA08 ,  4G047CB04 ,  4G047CC02 ,  4G047CD04 ,  4G047CD08 ,  4G047KA17 ,  4G048AA03 ,  4G048AA04 ,  4G048AA05 ,  4G048AB01 ,  4G048AC01 ,  4G048AD04 ,  4G048AD08 ,  4G048AE05 ,  4G077AA02 ,  4G077AA07 ,  4G077BC21 ,  4G077BC27 ,  4G077HA11
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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