Pat
J-GLOBAL ID:200903065420984197
配線回路基板の製造方法
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
岡本 寛之
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2003128991
Publication number (International publication number):2004335700
Application date: May. 07, 2003
Publication date: Nov. 25, 2004
Summary:
【課題】装置の誤作動を防止しつつ、静電気破壊を有効に防止することのできる、配線回路基板を提供すること。【解決手段】回路付サスペンション基板1のカバー絶縁層5の表面全面および端子部6の導体層4の表面全面にスパッタリング法によって金属薄膜7を形成した後、金属薄膜7の表面にその表面を加熱により酸化させるかまたはスパッタリング法により酸化金属層8を形成する。この方法によれば、カバー絶縁層5の表面に金属薄膜7および酸化金属層8からなる半導電体層9が形成されるので、静電気による実装部品の破壊や、金属薄膜7のみを形成した場合に発生する装置の誤作動を防止でき、また、カバー絶縁層5の表面に反応性スパッタリング法や金属酸化物ターゲットを用いたスパッタリング法によって直接酸化金属層8を形成した場合に比べ、表面抵抗率が均一で好適な範囲の半導電体層9を形成できる。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
導体層と、前記導体層に隣接する絶縁層とを備えた配線回路基板を用意する工程、
前記絶縁層の表面に金属薄膜を形成する工程、
前記金属薄膜の表面に酸化金属層を形成する工程
を含むことを特徴とする、配線回路基板の製造方法。
IPC (2):
FI (2):
F-Term (18):
4E351AA04
, 4E351BB01
, 4E351BB32
, 4E351BB35
, 4E351CC03
, 4E351DD06
, 4E351DD17
, 4E351DD19
, 4E351DD31
, 4E351GG06
, 5E343BB23
, 5E343BB38
, 5E343BB44
, 5E343BB59
, 5E343DD25
, 5E343DD76
, 5E343ER26
, 5E343GG20
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (5)
-
中継フレキシブル配線回路基板
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-017864
Applicant:日東電工株式会社
-
積層膜
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-146893
Applicant:株式会社ブリヂストン
-
特開昭64-047845
-
多層配線板の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-046013
Applicant:日立エーアイシー株式会社
-
半導体装置およびその作製方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-161364
Applicant:株式会社半導体エネルギー研究所
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Cited by examiner (6)
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特開昭64-047845
-
中継フレキシブル配線回路基板
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-017864
Applicant:日東電工株式会社
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積層膜
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Application number:特願2000-146893
Applicant:株式会社ブリヂストン
-
特開昭64-047845
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多層配線板の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-046013
Applicant:日立エーアイシー株式会社
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半導体装置およびその作製方法
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Application number:特願平10-161364
Applicant:株式会社半導体エネルギー研究所
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