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J-GLOBAL ID：200903065422673431

半導体製造方法及び半導体製造装置

Inventor： 安 炳 ▲チヨル▼
Applicant, Patent owner： 株式会社金星社
Agent (1)： 佐藤 一雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993303426
Publication number (International publication number)：1994208955
Application date： Nov. 09, 1993
Publication date： Jul. 26, 1994
Summary：

【要約】【目的】 大気圧下においてコロナ放電により注入ガスを分解させて高エネルギーのイオンおよびラジカル状態とした後、これを基板へ照射することにより、工程が行われる方法および装置を提供することにある。【構成】 大気圧下において基板(12)上にRF電源でコロナ放電を発生させることができる少なくとも1個以上の電極に反応ガスを供給する工程と、前記コロナ放電により前記反応ガスをイオンまたはラジカルに分解して基板に照射させる工程と、イオンまたはラジカルに分解された前記反応ガスが前記基板表面で化学的な反応を起し、または、前記基板表面で拡散されるようにする工程と、を備える。

Claim (excerpt)：

大気圧下において基板(12)上にRF電源でコロナ放電を発生させることができる少なくとも1個以上の電極(14)に、反応ガスを供給する工程と、前記コロナ放電により前記反応ガスをイオンまたはラジカルに分解して前記基板に照射させる工程と、イオンまたはラジカルに分解された前記反応ガスが前記基板表面で化学的な反応を起し、または、前記基板内で拡散されるようにする工程と、を備えることを特徴とするコロナ放電を利用した半導体製造方法。