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J-GLOBAL ID：200903065430919369

半導体パルスレーザ装置及び半導体パルスレーザの発振方法

Inventor： 松井 康浩 ,  荒平 慎 ,  小川 洋
Applicant, Patent owner： 沖電気工業株式会社
Agent (1)： 大垣 孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994304929
Publication number (International publication number)：1996162709
Application date： Dec. 08, 1994
Publication date： Jun. 21, 1996
Summary：

【要約】【目的】 低い変調電流で、鋭いパルスを発振することができる半導体パルスレーザ装置の提供。【構成】 p型クラッド層14とn型クラッド層10とにはさまれたストライプ状の活性層12を具えている。このn型クラッド層10はn-InP基板10からなり、一方、p型クラッド層14はp-InP層14からなる。この活性層12は、それぞれ厚さ60Åの障壁層26と井戸層28とを交互に積層した多重量子井戸構造を具えている。この多重量子井戸構造では、10層の井戸層を具えており、p型クラッド層よりから、順次に第1井戸層〜第10井戸層とする。そして、光閉じ込め効果を高めるために、活性層と、p型およびn型クラッド層との間にはそれぞれSCH層30を介在させている。

Claim (excerpt)：

p型クラッド層とn型クラッド層とにはさまれた活性層を具え、該活性層は、障壁層と井戸層とを交互に積層した多重量子井戸構造を具えてなる半導体パルスレーザ装置において、前記活性層は、定常状態において、p型クラッド層寄りの井戸層のキャリア密度が閾値よりも過剰となり、一方、n型クラッド層寄りの井戸層のキャリア密度が閾値よりも不足となる、該障壁層と該井戸層との価電子帯バンド不連続量および井戸層の数を具えてなることを特徴とする半導体パルスレーザ装置。