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J-GLOBAL ID：200903065435458068

表面プラズモン共鳴センサ

Inventor： 内山 兼一 ,  長田 泰二
Applicant, Patent owner： 東陶機器株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996100718
Publication number (International publication number)：1997250981
Application date： Mar. 15, 1996
Publication date： Sep. 22, 1997
Summary：

【要約】【課題】従来エバネッセント波に影響を与えることが困難とされてきた測定対象基質の分子に対しても有効に機能し、基質の濃度を算出できる表面プラズモン共鳴センサを提供すること。【解決手段】本発明の表面プラズモン共鳴センサ(1)は、エバネッセント波が生じる金属薄膜(3)上に半導体薄膜(4)を配置することを特徴とする。金属薄膜(3)は透光性の光透過媒体(2)上に設けられ光反射面(2a)において幾何学的な全反射条件で光を反射するようになっている。

Claim (excerpt)：

金属薄膜上に設けられた半導体薄膜と、前記金属薄膜が設けられた光反射面において幾何学的な全反射条件で光を反射する透光性の光透過媒体を有し、該光透過媒体と前記金属薄膜でエバネッセント波結合を形成する光学系を用いて、前記半導体薄膜に接触した被測定溶液中の測定対象基質を測定する表面プラズモン共鳴センサ。