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J-GLOBAL ID：200903065450488917

セシウム分離用イオン交換体の製造および再生方法

Inventor： 谷 原 紘 一
Applicant, Patent owner： 工業技術院長
Agent (1)： 工業技術院九州工業技術研究所長
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994129648
Publication number (International publication number)：1995308590
Application date： May. 18, 1994
Publication date： Nov. 28, 1995
Summary：

【要約】【目的】 セシウムに対する選択性が高く、固液分離が容易な粒状イオン交換体の製造方法と再生方法を提供すること。【構成】 多孔質陰イオン交換樹脂に担持したヘキサシアノ鉄(II)酸の不溶性銅塩を酸化処理したのちに、1価の陽イオン存在下で還元処理するとともに銅イオンと接触させることを特徴とする、セシウム分離用イオン交換体の製造方法と、多孔質陰イオン交換樹脂に担持した状態でセシウムを吸着させたヘキサシアノ鉄(II)酸の不溶性銅塩を酸化処理してセシウムを脱着させたのちに、1価の陽イオン存在下で還元処理するとともに銅イオンと接触させることを特徴とするセシウム分離用イオン交換体の再生方法【効果】 初回の吸着処理からセシウムに対する吸着能の高いイオン交換体を製造することができ、かつ繰り返し使用しても有効成分であるヘキサシアノ鉄酸の不溶性銅塩の減損を生じにくい。

Claim (excerpt)：

ヘキサシアノ鉄(II)酸の不溶性銅塩とそれを担持した多孔質陰イオン交換樹脂からなるセシウム分離用イオン交換体の製造方法において、当該多孔質陰イオン交換樹脂内に担持した状態でヘキサシアノ鉄(II)酸の不溶性銅塩を酸化処理したのちに、1価の陽イオン存在下で還元処理するとともに銅イオンと接触させることを特徴とするセシウム分離用イオン交換体の製造方法

IPC (5)：

B01J 39/08 ,  B01J 49/00 ,  C01D 17/00 ,  G21F 9/12 501 ,  G21F 9/12