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J-GLOBAL ID：200903065459566058

磁気検出素子及びその製造方法

Inventor： 原 浩一
Applicant, Patent owner： キヤノン電子株式会社
Agent (1)： 加藤 卓
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995124602
Publication number (International publication number)：1996316547
Application date： May. 24, 1995
Publication date： Nov. 29, 1996
Summary：

【要約】【目的】 MI素子(磁気インピーダンス効果を利用した磁気検出素子)であって、着磁媒体等の微小磁化の磁界検出と、地磁気等の一様磁界の検出を高感度に行なえる素子を提供する。【構成】 非磁性基板3上に概ね長方形に形成され長手方向が磁界検出方向に沿うように配置された第1の高透磁率磁性膜5と、この磁性膜5の先端部上に絶縁膜を挟んで積層され、後端部が磁性膜5の中間部に接続された概ね長方形の第2の高透磁率磁性膜6と、それぞれ磁性膜5の先端部と後端部、磁性膜6の先端部に接続された導電膜からなる3つの電極10〜12を有し、電極10〜12を介して磁性膜5のみ、または磁性膜5,6の両方に高周波電流を印加し、外部磁界による磁性膜5のみ、または磁性膜5,6の両方のインピーダンス変化を電気信号に変換して出力を得る。

Claim (excerpt)：

磁気インピーダンス効果を利用した磁気検出素子であって、非磁性基板と、該非磁性基板上に概ね長方形に形成され長手方向が磁界検出方向に沿うように配置された第1の高透磁率磁性膜と、該第1の高透磁率磁性膜の先端部上に絶縁膜を挟んで積層され、後端部が第1の高透磁率磁性膜の中間部に接続された概ね長方形の第2の高透磁率磁性膜と、それぞれ前記第1の高透磁率磁性膜の先端部と後端部、第2の高透磁率磁性膜の先端部に接続された導電膜からなる3つの電極を有し、前記3つの電極を介して前記第1の高透磁率磁性膜のみ、または前記第1と第2の高透磁率磁性膜の両方に高周波電流を印加し、外部磁界による前記第1の高透磁率磁性膜のみ、または前記第1と第2の高透磁率磁性膜の両方のインピーダンス変化を電気信号に変換して出力を得るようにしたことを特徴とする磁気検出素子。

IPC (3)：

H01L 43/00 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/33

FI (3)：

H01L 43/00 ,  G11B 5/33 ,  G01R 33/06 R