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J-GLOBAL ID:200903065463672253

半導体製造装置用シール

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993116398
Publication number (International publication number):1994302527
Application date: Apr. 19, 1993
Publication date: Oct. 28, 1994
Summary:
【要約】【目的】 耐熱性、低ガス透過性、及び、酸素やCF4 雰囲気下等でプラズマ照射されても発塵しない半導体製造装置用シールを提供すること。【構成】 ふっ素系エラストマー100重量部に対して、シリカ1〜50重量部、有機過酸化物1〜10重量部からなる組成物からなる半導体製造装置用シールであって、かつ、該半導体製造装置用シール100重量部に対して、金属元素を1重量部以下、及び、カーボンブラックを1重量部以下にせしめ、かつ、該半導体製造装置用シールがボイドフリーであることを特徴とする半導体製造装置用シール。
Claim (excerpt):
ふっ素系エラストマー100重量部に対して、シリカ1〜50重量部、有機過酸化物1〜10重量部からなる組成物からなる半導体製造装置用シールであって、かつ、該半導体製造装置用シール100重量部に対して、金属元素を1重量部以下、及び、カーボンブラックを1重量部以下にせしめ、かつ、該半導体製造装置用シールがボイドフリーであることを特徴とする半導体製造装置用シール。
IPC (8):
H01L 21/205 ,  C08K 3/36 ,  C08K 5/14 KJJ ,  C08L 27/12 KJF ,  C08L 27/16 LGG ,  C08L 27/18 ,  C08L 27/20 ,  H01L 21/302

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